湿度过高产生的问题更多。相对湿度超过55%时，冷却水管壁上会结露，如果发生在精密装置或电路中，就会引起各种事故。相对湿度在50%时易生锈。此外，湿度太高时将通过空气中的水分子把硅片表面粘着的灰尘化学吸附在表面耐难以清除。相对湿度越高,粘附的难去掉，但当相对湿度低于30%时，又由于静电力的作用使粒子也容易吸附于表面，同时大量半导体器件容易发生击穿。对于硅片生产的适宜温度范围为35—45%。
另外普遍存在着低级别的净化空调系统，这些系统的新风量不足，送风量也不够，也难以满足有一定洁净度要求的手术的进行。
同时在建筑布局上也存在着不公道性，主要表现为清污路线不分。手术后的污物和无菌手术的器械及医生从同一条走廊进出，这样很轻易产生交叉污染。
基于上述情况，过往国内手术部内很少能形成公道的正压分布和有序的气流组织。
